MOSFET DiodesZetex, canale N, 100 mΩ, 5,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-4219
Codice costruttore:: DMN6068SE-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 100 mΩ, 5,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 751-4219
Codice costruttore:: DMN6068SE-13
Costruttore:: DiodesZetex

60V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,6 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	3,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.7mm
Lunghezza	6.7mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	10,3 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.65mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 100 mΩ, 5,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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