MOSFET DiodesZetex, canale N, 35 mΩ, 15,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 828-3196
Codice costruttore:: DMN3032LE-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 35 mΩ, 15,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 828-3196
Codice costruttore:: DMN3032LE-13
Costruttore:: DiodesZetex

DMN3032LE 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	15,4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	35 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.55mm
Larghezza	3.55mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	11,3 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.65mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 35 mΩ, 15,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

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