MOSFET DiodesZetex, canale P, 35 mΩ, 18,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8463
Codice costruttore:: DMP6023LE-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 35 mΩ, 18,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,281 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,281 €	702,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-8463
Codice costruttore:: DMP6023LE-13
Costruttore:: DiodesZetex

DMP6023LE, 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	18,2 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	35 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	17,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	3.55mm
Lunghezza	6.55mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	53,1 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.65mm

MOSFET DiodesZetex, canale P, 35 mΩ, 18,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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