MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 100 mΩ Miglioramento, 8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
182-6900
Codice costruttore:
DMN6069SE-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

DMN

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

11W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.55mm

Altezza

1.65mm

Larghezza

3.55 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Applicazioni

Controllo motori

Interruttore di azionamento del trasformatore

Convertitori cc-cc

Funzioni di gestione dell'alimentazione

Alimentatore continuo

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