MOSFET DiodesZetex, canale N, 55 mΩ, 7,1 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 182-6899
Codice costruttore:: DMN6040SE-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 55 mΩ, 7,1 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 182-6899
Codice costruttore:: DMN6040SE-13
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet DMN6040SE-13

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,1 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	55 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Larghezza	3.55mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.55mm
Carica gate tipica @ Vgs	22,4 nC a 10V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.65mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 55 mΩ, 7,1 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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