MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P 40 V, 20 mΩ Miglioramento, 10 A, 8 Pin, SOIC, Superficie STS10P4LLF6
- Codice RS:
- 876-5711
- Codice costruttore:
- STS10P4LLF6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 876-5711
- Codice costruttore:
- STS10P4LLF6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | STripFET | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.7W | |
| Tensione diretta Vf | -1.1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 34nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie STripFET | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.7W | ||
Tensione diretta Vf -1.1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.5mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza STripFET™ a canale P, STMicroelectronics
I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.