MOSFET Infineon, canale N, 11,3 mΩ, 83 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 897-7412
Codice costruttore:: IPP111N15N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 11,3 mΩ, 83 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 897-7412
Codice costruttore:: IPP111N15N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di scarico continua massima di 83 A, dissipazione di potenza massima di 214 W - IPP111N15N3GXKSA1

Questo MOSFET è adatto per applicazioni di commutazione ad alta efficienza, migliorando in modo significativo l'efficienza e le prestazioni del sistema in vari settori, tra cui l'automazione e l'elettronica. Le sue caratteristiche, tra cui un'elevata corrente di drenaggio continuo e un'ampia gamma di temperature operative, lo rendono adattabile a diversi ambienti.

Caratteristiche e vantaggi

• Design a canale N per un'efficace capacità di commutazione
• Bassa resistenza di accensione che riduce la perdita di potenza
• Elevata capacità di dissipazione di energia per un funzionamento costante
• Gestisce efficacemente sia le correnti pulsate che quelle continue
• Design a fori passanti per una facile installazione

Applicazioni

• Ideale per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori
• Applicabile nella commutazione ad alta frequenza per una maggiore efficienza
• Adatto ai sistemi di automazione automobilistica e industriale
• Utilizzato nei sistemi di conversione dell'energia, come i convertitori e gli inverter
• Impiegato nella gestione dell'energia per le tecnologie di energia rinnovabile

Può essere utilizzato nei sistemi di automazione industriale?

Sì, è adatto ai sistemi automatizzati grazie alla sua efficienza e alle sue prestazioni affidabili.

Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di questo componente negli alimentatori?

Il dispositivo è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione e da un'elevata corrente di drenaggio, che riducono al minimo le perdite di potenza e migliorano la gestione termica nei progetti di alimentazione.

Come si comporta a temperature estreme?

Questo componente funziona in modo affidabile in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, rendendolo adatto alle condizioni più difficili.

È compatibile con i progetti esistenti nella mia applicazione?

Sì, il tipo di package TO-220 e lo stile di montaggio a foro passante sono compatibili con molti progetti di circuiti consolidati.

Cosa devo considerare per una corretta installazione?

Assicurare una corretta gestione termica e uno spazio adeguato per la dissipazione del calore per mantenere prestazioni ottimali durante il funzionamento.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	83 A
Tensione massima drain source	150 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	11,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	214 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.36mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	41 nC @ 10 V.
Larghezza	4.57mm
Materiale del transistor	Si
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	15.95mm