MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 15 mΩ Miglioramento, 83 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFB4228PBF

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Codice RS:
124-9007
Codice costruttore:
IRFB4228PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

83A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

330W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.82 mm

Lunghezza

1.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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