MOSFET onsemi, canale Tipo N 50 V, 6 Ω Miglioramento, 210 mA, 3 Pin, SC-70, Superficie BSS138W

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 100 unità*

9,40 €

(IVA esclusa)

11,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 15.900 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
100 - 4000,094 €9,40 €
500 - 9000,081 €8,10 €
1000 +0,07 €7,00 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
903-4112
Codice costruttore:
BSS138W
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

210mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

SC-70

Serie

BSS138W

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.1nC

Tensione diretta Vf

1.4V

Dissipazione di potenza massima Pd

340mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.9mm

Larghezza

1.25 mm

Lunghezza

2mm

Distrelec Product Id

304-44-720

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati