MOSFET onsemi, canale N, 2,5 Ω, 340 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 780-0472
Codice costruttore:: 2N7002WT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2,5 Ω, 340 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 780-0472
Codice costruttore:: 2N7002WT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	340 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	330 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	0,7 nC a 4,5 V
Larghezza	1.35mm
Lunghezza	2.2mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.9mm

MOSFET onsemi, canale N, 2,5 Ω, 340 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

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