MOSFET Wolfspeed, canale N, 1,4 Ω, 5 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 904-7345
Codice costruttore:: C2M1000170D
Costruttore:: Wolfspeed

MOSFET Wolfspeed, canale N, 1,4 Ω, 5 A, TO-247, Su foro

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Aggiunto

Prezzo per Unità

€ 8,47

(IVA esclusa)

€ 10,33

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
1 - 4	€ 8,47
5 - 9	€ 7,99
10 - 29	€ 7,84
30 - 89	€ 7,62
90 +	€ 7,41

Opzioni di confezione:

Confezione Standard

Confezione per produzione

Codice RS:: 904-7345
Codice costruttore:: C2M1000170D
Costruttore:: Wolfspeed

Documentazione Tecnica

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Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed

MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.

• Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata
• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
• Funzionamento resistente a latch-up

Transistor MOSFET, Wolfspeed

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5 A
Tensione massima drain source	1700 V
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,4 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.1V
Tensione di soglia gate minima	2.4V
Dissipazione di potenza massima	69 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-5 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.21mm
Materiale del transistor	SiC
Carica gate tipica @ Vgs	13 nC a 20 V, 13 nC a 5 V
Lunghezza	16.13mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	21.1mm
Tensione diretta del diodo	3.8V
Minima temperatura operativa	-55 °C