MOSFET Infineon, canale N 650 V, 70 mΩ Miglioramento, 47 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
911-4849
Codice costruttore:
SPW47N60C3FKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

47A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolMOS C3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

415W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

252nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

20.95mm

Lunghezza

15.9mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie C3, 47A di corrente di scarico continua massima, 415W di dissipazione di potenza massima - SPW47N60C3FKSA1


Questo MOSFET ad alta tensione è progettato per applicazioni di elettronica di potenza. Con la sua configurazione a canale N, offre prestazioni costanti in diverse impostazioni. In grado di gestire una corrente di drenaggio continua di 47A, serve per molteplici scopi industriali e di automazione, garantendo affidabilità ed efficacia nelle operazioni di commutazione.

Caratteristiche e vantaggi


• Prestazioni elevate con una tensione massima di 650 V

• La bassa resistenza massima drain-source di 70mΩ aumenta l'efficienza energetica

• La robusta capacità di dissipazione di potenza di 415 W supporta le applicazioni intensive

• I canali configurati per la modalità di potenziamento consentono un controllo migliore

• Progettato per il montaggio a foro passante per una semplice integrazione

Applicazioni


• Adatto alla conversione di energia in energia rinnovabile

• Impiegato nei circuiti di azionamento dei motori per una maggiore efficienza

• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'alimentazione per aumentare la stabilità

Qual è l'intervallo di temperatura ottimale per il funzionamento di questo dispositivo?


Il dispositivo funziona in modo efficiente tra -55°C e +150°C, migliorando la sua affidabilità in ambienti diversi.

Come si integra nei sistemi elettrici esistenti?


Questo MOSFET è progettato per il montaggio a foro passante, il che lo rende compatibile con i layout dei circuiti stampati standard per una facile integrazione.

Quali sono le considerazioni sulla sicurezza quando si utilizza questo componente?


È fondamentale garantire che la tensione gate-source rimanga compresa tra -20V e +20V per evitare danni durante il funzionamento e mantenere la stabilità del sistema.

Che tipo di applicazioni richiedono capacità di potenza così elevate?


Le applicazioni che richiedono una gestione significativa della potenza, come i controlli dei motori, i sistemi di energia rinnovabile e l'automazione industriale, traggono vantaggio dai suoi robusti valori di potenza.


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