MOSFET Infineon, canale N, 70 mΩ, 47 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 462-3455
Codice Distrelec:: 302-84-157
Codice costruttore:: SPW47N60C3FKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 70 mΩ, 47 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:: 462-3455
Codice Distrelec:: 302-84-157
Codice costruttore:: SPW47N60C3FKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie C3, 47A di corrente di scarico continua massima, 415W di dissipazione di potenza massima - SPW47N60C3FKSA1

Questo MOSFET ad alta tensione è progettato per applicazioni di elettronica di potenza. Con la sua configurazione a canale N, offre prestazioni costanti in diverse impostazioni. In grado di gestire una corrente di drenaggio continua di 47A, serve per molteplici scopi industriali e di automazione, garantendo affidabilità ed efficacia nelle operazioni di commutazione.

Caratteristiche e vantaggi

• Prestazioni elevate con una tensione massima di 650 V
• La bassa resistenza massima drain-source di 70mΩ aumenta l'efficienza energetica
• La robusta capacità di dissipazione di potenza di 415 W supporta le applicazioni intensive
• I canali configurati per la modalità di potenziamento consentono un controllo migliore
• Progettato per il montaggio a foro passante per una semplice integrazione

Applicazioni

• Adatto alla conversione di energia in energia rinnovabile
• Impiegato nei circuiti di azionamento dei motori per una maggiore efficienza
• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'alimentazione per aumentare la stabilità

Qual è l'intervallo di temperatura ottimale per il funzionamento di questo dispositivo?

Il dispositivo funziona in modo efficiente tra -55°C e +150°C, migliorando la sua affidabilità in ambienti diversi.

Come si integra nei sistemi elettrici esistenti?

Questo MOSFET è progettato per il montaggio a foro passante, il che lo rende compatibile con i layout dei circuiti stampati standard per una facile integrazione.

Quali sono le considerazioni sulla sicurezza quando si utilizza questo componente?

È fondamentale garantire che la tensione gate-source rimanga compresa tra -20V e +20V per evitare danni durante il funzionamento e mantenere la stabilità del sistema.

Che tipo di applicazioni richiedono capacità di potenza così elevate?

Le applicazioni che richiedono una gestione significativa della potenza, come i controlli dei motori, i sistemi di energia rinnovabile e l'automazione industriale, traggono vantaggio dai suoi robusti valori di potenza.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	47 A
Tensione massima drain source	650 V
Serie	CoolMOS™ C3
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	70 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.9V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	415 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	252 nC a 10 V
Lunghezza	15.9mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	20.95mm