MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 70 mΩ Miglioramento, 47 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante SPW47N60C3FKSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

11,81 €

(IVA esclusa)

14,41 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 5 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
  • Più 138 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
  • Più 484 unità in spedizione dal 07 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 411,81 €
5 - 911,22 €
10 - 2410,75 €
25 - 4910,26 €
50 +9,55 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
462-3455
Codice Distrelec:
302-84-157
Codice costruttore:
SPW47N60C3FKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

47A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolMOS C3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

415W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

252nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.9mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.3mm

Altezza

20.95mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie C3, 47A di corrente di scarico continua massima, 415W di dissipazione di potenza massima - SPW47N60C3FKSA1


Questo MOSFET ad alta tensione è progettato per applicazioni di elettronica di potenza. Con la sua configurazione a canale N, offre prestazioni costanti in diverse impostazioni. In grado di gestire una corrente di drenaggio continua di 47A, serve per molteplici scopi industriali e di automazione, garantendo affidabilità ed efficacia nelle operazioni di commutazione.

Caratteristiche e vantaggi


• Prestazioni elevate con una tensione massima di 650 V

• La bassa resistenza massima drain-source di 70mΩ aumenta l'efficienza energetica

• La robusta capacità di dissipazione di potenza di 415 W supporta le applicazioni intensive

• I canali configurati per la modalità di potenziamento consentono un controllo migliore

• Progettato per il montaggio a foro passante per una semplice integrazione

Applicazioni


• Adatto alla conversione di energia in energia rinnovabile

• Impiegato nei circuiti di azionamento dei motori per una maggiore efficienza

• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'alimentazione per aumentare la stabilità

Qual è l'intervallo di temperatura ottimale per il funzionamento di questo dispositivo?


Il dispositivo funziona in modo efficiente tra -55°C e +150°C, migliorando la sua affidabilità in ambienti diversi.

Come si integra nei sistemi elettrici esistenti?


Questo MOSFET è progettato per il montaggio a foro passante, il che lo rende compatibile con i layout dei circuiti stampati standard per una facile integrazione.

Quali sono le considerazioni sulla sicurezza quando si utilizza questo componente?


È fondamentale garantire che la tensione gate-source rimanga compresa tra -20V e +20V per evitare danni durante il funzionamento e mantenere la stabilità del sistema.

Che tipo di applicazioni richiedono capacità di potenza così elevate?


Le applicazioni che richiedono una gestione significativa della potenza, come i controlli dei motori, i sistemi di energia rinnovabile e l'automazione industriale, traggono vantaggio dai suoi robusti valori di potenza.


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.