MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 99.6 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

130,68 €

(IVA esclusa)

159,42 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 120 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 304,356 €130,68 €
60 - 1204,138 €124,14 €
150 +3,964 €118,92 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
220-7460
Codice costruttore:
IPW65R110CFDAFKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

99.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

118nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

277.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

21.1mm

Lunghezza

16.13mm

Larghezza

5.21 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon Super Junction (SJ) Cool MOS è la seconda generazione di MOSFET di potenza Cool MOS ad alta tensione per uso automobilistico di seconda generazione. 650V In aggiunta ai ben noti attributi di alta qualità e affidabilità richiesti dall'industria automobilistica, la serie 650V Cool MOS CFDA fornisce anche un diodo integrato a corpo rapido.

La prima tecnologia 650V qualificata per il settore automobilistico con diodo integrato a corpo rapido sul mercato

Overshoot di tensione limitato durante la commutazione hard - di/dt autolimitante e dv/dt

Basso valore di carica di gate Q g.

Basso Q rr a commutazione ripetitiva su diodo corpo & Q oss. Basso

Tempi di accensione e di attivazione ridotti

Maggiore margine di sicurezza grazie alla tensione di scarica distruttiva più elevata

Aspetto EMI ridotto e facilità di progettazione

Migliore efficienza con carichi leggeri

Minori perdite di commutazione

È possibile una frequenza di commutazione più elevata e/o un duty cycle più elevato

Alta qualità e affidabilità

Link consigliati