MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 260 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 913-4032
Codice costruttore:: IRLB3813PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 260 A, TO-220AB, Su foro

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

0,947 €

(IVA esclusa)

1,155 €

(IVA inclusa)

654 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per stecca**
50 - 50	0,947 €	47,35 €
100 - 200	0,795 €	39,75 €
250 - 450	0,748 €	37,40 €
500 - 950	0,70 €	35,00 €
1000 +	0,676 €	33,80 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 913-4032
Codice costruttore:: IRLB3813PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	260 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.35V
Tensione di soglia gate minima	1.35V
Dissipazione di potenza massima	230 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	57 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.67mm
Larghezza	4.83mm
Altezza	9.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 260 A, TO-220AB, Su foro

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

Link consigliati