MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 2 mΩ Miglioramento, 260 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRLB3813PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
725-9313
Codice costruttore:
IRLB3813PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

260A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

57nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.83 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.02mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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