MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 260 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 725-9313
Codice costruttore:: IRLB3813PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 260 A, TO-220AB, Su foro

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50 - 98	0,84 €	1,68 €
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Codice RS:: 725-9313
Codice costruttore:: IRLB3813PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	260 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.35V
Tensione di soglia gate minima	1.35V
Dissipazione di potenza massima	230 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	57 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.83mm
Lunghezza	10.67mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 260 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

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