MOSFET di potenza IXYS, canale Tipo N 600 V, 260 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-3PN, Foro passante IXFQ28N60P3

Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
168-4739
Codice costruttore:
IXFQ28N60P3
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

28A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-3PN

Serie

Polar3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

260mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Tensione diretta Vf

1.4V

Dissipazione di potenza massima Pd

695W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

20.3mm

Lunghezza

15.8mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.9 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
US

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS


Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati