MOSFET di potenza IXYS, canale Tipo N 500 V, 100 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-3PN, Foro passante IXFQ60N50P3

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

8,38 €

(IVA esclusa)

10,22 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 4 unità in spedizione dal 04 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 48,38 €
5 - 96,68 €
10 - 296,34 €
30 - 896,17 €
90 +6,00 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
802-4461
Codice costruttore:
IXFQ60N50P3
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

Polar3

Tipo di package

TO-3PN

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

96nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.4V

Dissipazione di potenza massima Pd

1040W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.9mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

20.3mm

Lunghezza

15.8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS


Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.