MOSFET IXYS, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3PN, Su foro

Codice RS:: 146-1755
Codice costruttore:: IXFQ60N50P3
Costruttore:: IXYS

MOSFET IXYS, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3PN, Su foro

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Codice RS:: 146-1755
Codice costruttore:: IXFQ60N50P3
Costruttore:: IXYS

IXFT60N50P3, IXFQ60N50P3, IXFH60N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	60 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	TO-3PN
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	1,04 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	96 nC a 10 V
Larghezza	4.9mm
Lunghezza	15.8mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	20.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET IXYS, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-3PN, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS

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