MOSFET IXYS, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-3PN, Su foro
- Codice RS:
- 146-1753
- Codice costruttore:
- IXFQ34N50P3
- Costruttore:
- IXYS
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- Codice RS:
- 146-1753
- Codice costruttore:
- IXFQ34N50P3
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 34 A | |
| Tensione massima drain source | 500 V | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Tipo di package | TO-3PN | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 175 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 5V | |
| Dissipazione di potenza massima | 695 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 60 nC a 10 V | |
| Larghezza | 4.9mm | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Lunghezza | 15.8mm | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Altezza | 20.3mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 34 A | ||
Tensione massima drain source 500 V | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Tipo di package TO-3PN | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 175 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 5V | ||
Dissipazione di potenza massima 695 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -30 V, +30 V | ||
Carica gate tipica @ Vgs 60 nC a 10 V | ||
Larghezza 4.9mm | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Lunghezza 15.8mm | ||
Materiale del transistor Si | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Altezza 20.3mm | ||
- Paese di origine:
- US
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS
Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS