MOSFET IXYS, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-3PN, Su foro

Prodotto discontinuato

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	34 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	TO-3PN
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	175 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	695 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	60 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	15.8mm
Larghezza	4.9mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	20.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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