MOSFET IXYS, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-3PN, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 175 mΩ, 34 A, TO-3PN, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 146-1753
Price: 8.51 EUR
Availability: OutOfStock

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)

6,978 €

(IVA esclusa)

8,513 €

(IVA inclusa)

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	34 A
Tensione massima drain source	500 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di package	TO-3PN
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	175 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	695 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	60 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.9mm
Lunghezza	15.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	20.3mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	34 A
Tensione massima drain source	500 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di package	TO-3PN
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	175 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	695 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	60 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.9mm
Lunghezza	15.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	20.3mm

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