Serie MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N, 30 mΩ 1.2 kV, 193 A Miglioramento, 7 Pin
- Codice RS:
- 916-3879
- Codice costruttore:
- CAS120M12BM2
- Costruttore:
- Wolfspeed
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- Codice RS:
- 916-3879
- Codice costruttore:
- CAS120M12BM2
- Costruttore:
- Wolfspeed
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Wolfspeed | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 193A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 30mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 925W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 378nC | |
| Tensione diretta Vf | 2.4V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Configurazione transistor | Serie | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 61.4 mm | |
| Lunghezza | 106.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 30mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Wolfspeed | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 193A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 30mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 925W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 378nC | ||
Tensione diretta Vf 2.4V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Configurazione transistor Serie | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 61.4 mm | ||
Lunghezza 106.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 30mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Moduli di potenza MOSFET in carburo di silicio Wolfspeed
Moduli di potenza MOSFET al carburo di silicio da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree Inc. Questi moduli SiC MOSFET sono alloggiati in contenitori standard industriali e sono disponibili nei formati half-bridge (2 MOSFET) e a 3 fasi (6 MOSFET); sono inoltre dotati di diodi di ripristino inverso SiC. Le applicazioni tipiche includono: riscaldamento ad induzione, inverter fotovoltaici ed eolici, convertitori c.c.-c.c., trifase PFC, azionamenti per rigenerazione della linea, UPS e SMPS, azionamenti per motori e caricabatterie.
• I MOSFET interrompono la corrente di coda e la corrente di recupero a diodo inverso sono effettivamente zero.
• Funzionamento ad alta frequenza con perdita molto bassa
• Facilità di collegamento in parallelo grazie alle caratteristiche SiC
• Funzionamento normalmente spento, funzionamento fail-safe
• La piastra di base in rame e l'isolante in nitruro di alluminio riducono i requisiti termici
Transistor MOSFET, Wolfspeed
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