MOSFET IXYS, canale Tipo N, 11 mΩ 150 V, 150 A Miglioramento, SOT-227, Montaggio a pannello, 4 Pin IXFN180N15P

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
920-0757
Codice costruttore:
IXFN180N15P
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Montaggio a pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

680W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

240nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

25.42mm

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS HiperFETTM PolarTM


MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFETTM) di IXYS

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzati di IXYS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.