MOSFET IXYS, canale Tipo N 150 V, 4 mΩ Miglioramento, 310 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie IXFN360N15T2

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Codice RS:
125-8042
Codice Distrelec:
302-53-371
Codice costruttore:
IXFN360N15T2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

310A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

715nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.07kW

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

25.07 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS


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