MOSFET IXYS, canale N, 39 mΩ, 112 A, SOT-227, Montaggio a vite

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Codice RS:
168-4757
Codice costruttore:
IXFN132N50P3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

112 A

Tensione massima drain source

500 V

Tipo di package

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar3

Tipo di montaggio

Montaggio a vite

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

39 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Dissipazione di potenza massima

1,5 kW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

25.07mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

38.23mm

Carica gate tipica @ Vgs

250 nC a 10 V

Altezza

9.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
US

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS


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