MOSFET STMicroelectronics, canale N, 850 mΩ, 7,2 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 920-8708
Codice costruttore:: STP9NK50Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 850 mΩ, 7,2 A, TO-220, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,548 €

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1,889 €

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Unità	Per unità	Per Tubo**
50 - 50	1,548 €	77,40 €
100 - 450	1,206 €	60,30 €
500 - 950	1,015 €	50,75 €
1000 - 4950	0,852 €	42,60 €
5000 +	0,806 €	40,30 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 920-8708
Codice costruttore:: STP9NK50Z
Costruttore:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,2 A
Tensione massima drain source	500 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	850 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 10 V
Larghezza	4.6mm
Lunghezza	10.4mm
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 850 mΩ, 7,2 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

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