MOSFET Infineon, canale N, 7,2 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 754-5480
Codice costruttore:: IPP072N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 7,2 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro

Prezzo per 1pz in confezione da 2**

2,02 €

(IVA esclusa)

2,46 €

(IVA inclusa)

38 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
2 +	2,02 €	4,04 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 754-5480
Codice costruttore:: IPP072N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET N-ch 100V 80A OptiMOS3 TO220
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	7,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	15.95mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.36mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	51 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	4.57mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 7,2 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

Link consigliati