MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,2 Ω, 6 A, TO-220, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

6 A

Tensione massima drain source

600 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,2 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

110 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Larghezza

4.6mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

33 nC a 10 V

Lunghezza

10.4mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

9.15mm