MOSFET DiodesZetex, canale N, 3 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 921-1114
Codice costruttore:: DMN53D0U-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 3 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 921-1114
Codice costruttore:: DMN53D0U-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN53D0U, N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 mA
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	520 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,6 nC a 4,5 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	1.4V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 3 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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