Transistor Darlington NPN onsemi, TO-204, 3 Pin, 30 A, 120 V, , Montaggio su foro
- Codice RS:
- 463-000
- Codice costruttore:
- MJ11016G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 463-000
- Codice costruttore:
- MJ11016G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo transistor | NPN | |
| Corrente massima continuativa collettore | 30 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 120 V | |
| Tensione massima base emitter | 5 V | |
| Tipo di package | TO-204 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Guadagno minimo corrente c.c. | 200 | |
| Tensione massima di saturazione emitter | 5 V | |
| Tensione massima base del collettore | 120 V | |
| Tensione massima di saturazione collettore emitter | 4 V | |
| Larghezza | 26.67mm | |
| Altezza | 8.51mm | |
| Dimensioni | 39.37 x 26.67 x 8.51mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +200 °C | |
| Lunghezza | 39.37mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo transistor NPN | ||
Corrente massima continuativa collettore 30 A | ||
Tensione massima collettore emitter 120 V | ||
Tensione massima base emitter 5 V | ||
Tipo di package TO-204 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Guadagno minimo corrente c.c. 200 | ||
Tensione massima di saturazione emitter 5 V | ||
Tensione massima base del collettore 120 V | ||
Tensione massima di saturazione collettore emitter 4 V | ||
Larghezza 26.67mm | ||
Altezza 8.51mm | ||
Dimensioni 39.37 x 26.67 x 8.51mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +200 °C | ||
Lunghezza 39.37mm | ||
Transistor NPN Darlington, ON Semiconductor
Standard
I codici costruttore con prefisso S o NSV sono qualificati per l'uso automobilistico secondo lo standard AEC-Q101.
On Semiconductor MJ11016G è un transistor di potenza bipolare Darlington da 30 A, 120 V, da 12 V. È progettato per essere utilizzato come dispositivo di uscita per applicazioni di amplificatori di uso generale.
MJ11016G è disponibile in un contenitore senza Pb TO-204AA (TO-3) con foro.
• Guadagno di corrente c.c. elevato
• Costruzione Monolitica
• Resistore shunt emettitore base incorporato
• Temperatura di giunzione: A +200°C.
• Polarità NPN
MJ11016G è disponibile in un contenitore senza Pb TO-204AA (TO-3) con foro.
• Guadagno di corrente c.c. elevato
• Costruzione Monolitica
• Resistore shunt emettitore base incorporato
• Temperatura di giunzione: A +200°C.
• Polarità NPN
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