SRAM Renesas Electronics da 1 MB, 64k x 16, 44 Pin, Superficie
- Codice RS:
- 263-7903
- Codice costruttore:
- 71016S15PHG
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 135 - 135 | 2,098 € | 283,23 € |
| 270 - 405 | 2,081 € | 280,94 € |
| 540 + | 2,01 € | 271,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 263-7903
- Codice costruttore:
- 71016S15PHG
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | SRAM | |
| Dimensione memoria | 1MB | |
| Organizzazione | 64k x 16 | |
| Numero parole | 64K | |
| Numero bit per parola | 16 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 15ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 4.5V | |
| Tipo di temporizzazione | Asincrono | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero pin | 44 | |
| Serie | IDT71016 | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 18.41mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 10.16 mm | |
| Corrente di alimentazione | 180mA | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto SRAM | ||
Dimensione memoria 1MB | ||
Organizzazione 64k x 16 | ||
Numero parole 64K | ||
Numero bit per parola 16 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 15ns | ||
Tensione minima di alimentazione 4.5V | ||
Tipo di temporizzazione Asincrono | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero pin 44 | ||
Serie IDT71016 | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 18.41mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 10.16 mm | ||
Corrente di alimentazione 180mA | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
La RAM statica CMOS 6 di Renesas Electronics è una RAM statica ad alta velocità organizzata come 64K x 16. È realizzata utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. Questa tecnologia all'avanguardia, combinata con tecniche innovative di progettazione dei circuiti, fornisce una soluzione conveniente per le esigenze di memoria ad alta velocità. Tutti gli ingressi e le uscite bidirezionali della RAM sono compatibili con TTL e il funzionamento è da un singolo alimentatore da 5 V. Viene utilizzato un circuito asincrono completamente statico, che non richiede clock o aggiornamento per il funzionamento.
Selezione di un chip e un pin di attivazione di uscita
Ingressi e uscite dati bidirezionali direttamente compatibili con TTL
Basso consumo energetico tramite deselezione del chip
Pin di abilitazione per byte superiore e inferiore
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