SCR Diodo STMicroelectronics, SMB, 4 A, 650 V 400 A
- Codice RS:
- 609-137
- Codice costruttore:
- STPSC4G065UF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 609-137
- Codice costruttore:
- STPSC4G065UF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente nominale media di on-state Irms | 4A | |
| Tipo prodotto | SCR | |
| Tipo di tiristore | Diodo | |
| Tipo di package | SMB | |
| Picco di tensione inversa ripetitiva VDRM | 650V | |
| Corrente nominale di sovratensione | 400A | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | UL94 V0, ECOPACK2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente nominale media di on-state Irms 4A | ||
Tipo prodotto SCR | ||
Tipo di tiristore Diodo | ||
Tipo di package SMB | ||
Picco di tensione inversa ripetitiva VDRM 650V | ||
Corrente nominale di sovratensione 400A | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni UL94 V0, ECOPACK2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il diodo Schottky High Surge al carburo di silicio da 650 V e 4 A è un raddrizzatore Schottky di potenza ad altissime prestazioni. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale ad ampio band gap consente di progettare una struttura di diodo Schottky a bassa VF con una potenza di 650 V. Grazie alla struttura Schottky, non si verifica alcun recupero allo spegnimento e i pattern di ringing sono trascurabili. Il comportamento di spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura.
Nessuna o trascurabile carica di recupero inversa nell'intervallo di corrente di applicazione
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Elevata capacità di spinta in avanti
Componente conforme a ECOPACK2
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