SCR Diodo STMicroelectronics, SMB, 4 A, 650 V 400 A
- Codice RS:
- 609-139
- Codice costruttore:
- STPSC4G065UFY
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
1,16 €
(IVA esclusa)
1,42 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 282 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 24 | 1,16 € |
| 25 - 99 | 1,03 € |
| 100 - 499 | 0,94 € |
| 500 - 999 | 0,79 € |
| 1000 + | 0,74 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 609-139
- Codice costruttore:
- STPSC4G065UFY
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | SCR | |
| Corrente nominale media di on-state Irms | 4A | |
| Tipo di tiristore | Diodo | |
| Tipo di package | SMB | |
| Picco di tensione inversa ripetitiva VDRM | 650V | |
| Corrente nominale di sovratensione | 400A | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | STPSC4G065UFY | |
| Standard/Approvazioni | UL94 V0, ECOPACK2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto SCR | ||
Corrente nominale media di on-state Irms 4A | ||
Tipo di tiristore Diodo | ||
Tipo di package SMB | ||
Picco di tensione inversa ripetitiva VDRM 650V | ||
Corrente nominale di sovratensione 400A | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie STPSC4G065UFY | ||
Standard/Approvazioni UL94 V0, ECOPACK2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MA
Il diodo di potenza Schottky High Surge al carburo di silicio STMicroelectronics Automotive 650 V 4A è un raddrizzatore Schottky di potenza ad altissime prestazioni. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale ad ampio band gap consente di progettare una struttura di diodo Schottky a bassa VF con una potenza di 650 V. Grazie alla struttura Schottky, non si verifica alcun recupero allo spegnimento e i pattern di ringing sono trascurabili. Il comportamento di spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura.
Certificazione AEC-Q101 e idoneità per PPAP
Nessuna o trascurabile carica di recupero inversa nell'intervallo di corrente di applicazione
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Elevata capacità di spinta in avanti
Componente conforme a ECOPACK2