Transistor onsemi, 4 Pin PnP, TO-252, -5 A, -25 V, Superficie

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Codice RS:
145-4763
Codice costruttore:
MJD210T4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor

Corrente CC massima collettore Idc

-5A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

-25V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore VCBO

40V cc

Dissipazione di potenza massima Pd

12.5W

Frequenza transizione massima ft

10MHz

Guadagno minimo di corrente CC hFE

10

Polarità transistor

PnP

Tensione massima base emettitore VBEO

8V

Minima temperatura operativa

-65°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

4

Serie

MJD210

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.38mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il transistor bipolare di potenza è progettato per applicazioni di amplificatori audio ad alto guadagno, bassa tensione e bassa tensione. I dispositivi MJD200 (NPN) e MJD210 (PNP) sono dispositivi complementari.

Tensione di sostentamento collettore-emettitore - Vceo(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

Alto guadagno in corrente continua - hFE = 70 (min) @ IC = 500 mAdc = 45 (min) @ IC = 2 Adc = 10 (min) @ IC = 5 Adc

Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore - VCE(sat) = 0,30 Vcc (max) @ IC = 500 mAdc = 0,75 Vcc (max) @ IC = 2,0 Vcc

Alto guadagno corrente - prodotto larghezza di banda - fT = 65 MHz (min) @ IC = 100 mAdc

Costruzione anulare per bassa perdita - ICBO = 100 NADC @ VCB nominale

Questi dispositivi sono esenti da Pb-Free

MJD200 è il dispositivo NPN complementare

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