Transistor onsemi MJD210T4G, 4 Pin PnP, TO-252, -5 A, -25 V, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
790-5334
Codice costruttore:
MJD210T4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor

Corrente CC massima collettore Idc

-5A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

-25V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore VCBO

40V cc

Frequenza transizione massima ft

10MHz

Minima temperatura operativa

-65°C

Dissipazione di potenza massima Pd

12.5W

Polarità transistor

PnP

Guadagno minimo di corrente CC hFE

10

Tensione massima base emettitore VBEO

8V

Numero pin

4

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

MJD210

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.38mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor bipolare di potenza è progettato per applicazioni di amplificatori audio ad alto guadagno, bassa tensione e bassa tensione. I dispositivi MJD200 (NPN) e MJD210 (PNP) sono dispositivi complementari.

Tensione di sostentamento collettore-emettitore - Vceo(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

Alto guadagno in corrente continua - hFE = 70 (min) @ IC = 500 mAdc = 45 (min) @ IC = 2 Adc = 10 (min) @ IC = 5 Adc

Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore - VCE(sat) = 0,30 Vcc (max) @ IC = 500 mAdc = 0,75 Vcc (max) @ IC = 2,0 Vcc

Alto guadagno corrente - prodotto larghezza di banda - fT = 65 MHz (min) @ IC = 100 mAdc

Costruzione anulare per bassa perdita - ICBO = 100 NADC @ VCB nominale

Questi dispositivi sono esenti da Pb-Free

MJD200 è il dispositivo NPN complementare

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