Transistor bipolare RF NPN Infineon, 4 Pin, TSFP, 35 mA, 2,25 V, Montaggio superficiale

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Codice RS:
170-2255
Codice costruttore:
BFP840FESDH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo transistor

NPN

Corrente c.c. massima collettore

35 mA

Tensione massima collettore emitter

2,25 V

Tipo di package

TSFP

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Dissipazione di potenza massima

75 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore

2,9 V

Frequenza operativa massima

85 GHz

Numero pin

4

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Dimensioni

1.4 x 0.8 x 0.55mm

Il modello BFP840FESD è un HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) ad alte prestazioni specificamente progettato per applicazioni wi-fi da 5-6 GHz. Il dispositivo si basa sull'affidabile tecnologia SiGe:C ad alto volume d'Infineon. Il modello BFP840FESD offre un ingresso intrinsecamente buono e una corrispondente potenza di uscita nonché una corrispondenza di rumore intrinsecamente buona a 5-6 GHz. La corrispondenza simultanea tra rumore e potenza senza componenti abbinati esterni all'ingresso si traduce in un basso numero di parti esterne, un livello di rumorosità molto buono e un guadagno del trasduttore molto elevato nelle applicazioni wi-fi.

Amplificatore robusto, ad alte prestazioni e bassa rumorosità basato sull'affidabile tecnologia wafer SiGe:C ad alto volume di Infineon
Robustezza ESD da 2 kV (HBM) in virtù dei circuiti di protezione integrata
Elevata potenza in ingresso RF di 21 dBm
Rumore minimo 0,6 dB
Guadagno di tensione 26 dB
OIP3 23,5 dBm a 5,5 GHz, 25 mA
Modello GP SPICE preciso disponibile per consentire un efficace processo di progettazione

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