Transistor bipolare RF NPN Infineon, 4 Pin, TSFP, 35 mA, 2,25 V, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 170-2255
- Codice costruttore:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
200 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
0,155 €
(IVA esclusa)
0,189 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
---|---|---|
3000 + | 0,155 € | 465,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-2255
- Codice costruttore:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il modello BFP840FESD è un HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) ad alte prestazioni specificamente progettato per applicazioni wi-fi da 5-6 GHz. Il dispositivo si basa sull'affidabile tecnologia SiGe:C ad alto volume d'Infineon. Il modello BFP840FESD offre un ingresso intrinsecamente buono e una corrispondente potenza di uscita nonché una corrispondenza di rumore intrinsecamente buona a 5-6 GHz. La corrispondenza simultanea tra rumore e potenza senza componenti abbinati esterni all'ingresso si traduce in un basso numero di parti esterne, un livello di rumorosità molto buono e un guadagno del trasduttore molto elevato nelle applicazioni wi-fi.
Amplificatore robusto, ad alte prestazioni e bassa rumorosità basato sull'affidabile tecnologia wafer SiGe:C ad alto volume di Infineon
Robustezza ESD da 2 kV (HBM) in virtù dei circuiti di protezione integrata
Elevata potenza in ingresso RF di 21 dBm
Rumore minimo 0,6 dB
Guadagno di tensione 26 dB
OIP3 23,5 dBm a 5,5 GHz, 25 mA
Modello GP SPICE preciso disponibile per consentire un efficace processo di progettazione
Robustezza ESD da 2 kV (HBM) in virtù dei circuiti di protezione integrata
Elevata potenza in ingresso RF di 21 dBm
Rumore minimo 0,6 dB
Guadagno di tensione 26 dB
OIP3 23,5 dBm a 5,5 GHz, 25 mA
Modello GP SPICE preciso disponibile per consentire un efficace processo di progettazione
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo transistor | NPN |
Corrente c.c. massima collettore | 35 mA |
Tensione massima collettore emitter | 2,25 V |
Tipo di package | TSFP |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Dissipazione di potenza massima | 75 mW |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima base del collettore | 2,9 V |
Frequenza operativa massima | 85 GHz |
Numero pin | 4 |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Dimensioni | 1.4 x 0.8 x 0.55mm |
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