Transistor bipolare RF NPN Infineon, SOT-343, 35 mA, 2,25 V, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 259-1453
- Codice costruttore:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,162 € | 486,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,154 € | 462,00 € |
| 9000 + | 0,144 € | 432,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1453
- Codice costruttore:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo transistor | NPN | |
| Corrente c.c. massima collettore | 35 mA | |
| Tensione massima collettore emitter | 2,25 V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo transistor NPN | ||
Corrente c.c. massima collettore 35 mA | ||
Tensione massima collettore emitter 2,25 V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Il transistor bipolare a giunzione eterodinamica discreto (HBT) Infineon è progettato appositamente per la banda a 5 GHz ad alte prestazioni. Si tratta di sistemi di comunicazione satellitare, radio satellitare (SDAR, DAB), sistemi di navigazione (ad esempio GPS, Glonass, Beidou, Galileo).
Guadagno elevato Gms 22,5 dB a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA
OIP3 22 dBm a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA
IC max +35 mA
OIP3 22 dBm a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA
IC max +35 mA
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