Transistor bipolare RF Infineon, 4 Pin NPN, SOT-343, 35 mA, 2.25 V, Superficie

Visualizza Transistor bipolari
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

636,00 €

(IVA esclusa)

777,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 22 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 30000,212 €636,00 €
6000 - 60000,202 €606,00 €
9000 +0,198 €594,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
259-1453
Codice costruttore:
BFP840ESDH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

35mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

2.25V

Tipo di package

SOT-343

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

NPN

Tensione massima base del collettore VCBO

2.9V

Frequenza transizione massima ft

80GHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

75mW

Polarità transistor

NPN

Guadagno minimo di corrente CC hFE

150

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

4

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.9mm

Lunghezza

2mm

Serie

BFP

Standard automobilistico

No

Il transistor bipolare a giunzione eterodinamica discreto (HBT) Infineon è progettato appositamente per la banda a 5 GHz ad alte prestazioni. Si tratta di sistemi di comunicazione satellitare, radio satellitare (SDAR, DAB), sistemi di navigazione (ad esempio GPS, Glonass, Beidou, Galileo).

Gain elevato Gms 22,5 dB a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA

OOIP3 22 dBm a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA

IC max +35 mA

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.