Transistor bipolare RF Infineon, 4 Pin NPN, SOT-343, 35 mA, 2.25 V, Superficie

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6000 - 60000,177 €531,00 €
9000 +0,173 €519,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
259-1453
Codice costruttore:
BFP840ESDH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

35mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

2.25V

Tipo di package

SOT-343

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

NPN

Tensione massima base del collettore VCBO

2.9V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

150

Dissipazione di potenza massima Pd

75mW

Polarità transistor

NPN

Minima temperatura operativa

-55°C

Frequenza transizione massima ft

80GHz

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

4

Lunghezza

2mm

Altezza

0.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

BFP

Standard automobilistico

No

Il transistor bipolare a giunzione eterodinamica discreto (HBT) Infineon è progettato appositamente per la banda a 5 GHz ad alte prestazioni. Si tratta di sistemi di comunicazione satellitare, radio satellitare (SDAR, DAB), sistemi di navigazione (ad esempio GPS, Glonass, Beidou, Galileo).

Gain elevato Gms 22,5 dB a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA

OOIP3 22 dBm a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA

IC max +35 mA

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