Transistor bipolare RF Infineon BFP840ESDH6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 35 mA, 2.25 V, Superficie
- Codice RS:
- 259-1454
- Codice costruttore:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 25 unità, in una confezione da 25*
7,55 €
(IVA esclusa)
9,20 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2525 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,302 € | 7,55 € |
| 125 - 225 | 0,234 € | 5,85 € |
| 250 - 600 | 0,228 € | 5,70 € |
| 625 - 1225 | 0,222 € | 5,55 € |
| 1250 + | 0,216 € | 5,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1454
- Codice costruttore:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 35mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 2.25V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 2.9V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 150 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Frequenza transizione massima ft | 80GHz | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 75mW | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 2.1mm | |
| Serie | BFP | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 35mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 2.25V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 2.9V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 150 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Frequenza transizione massima ft 80GHz | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 75mW | ||
Polarità transistor NPN | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 2.1mm | ||
Serie BFP | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor bipolare a giunzione eterodinamica discreto (HBT) Infineon è progettato appositamente per la banda a 5 GHz ad alte prestazioni. Si tratta di sistemi di comunicazione satellitare, radio satellitare (SDAR, DAB), sistemi di navigazione (ad esempio GPS, Glonass, Beidou, Galileo).
Gain elevato Gms 22,5 dB a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA
OOIP3 22 dBm a 5,5 GHz, 1,8 V, 10 mA
IC max +35 mA
Link consigliati
- Transistor bipolare RF Infineon SOT-343 2.25 V, Superficie
- Transistor bipolari RF a banda larga Infineon SOT-343 2.25 V, Superficie
- Transistor bipolari RF a banda larga Infineon BFP843H6327XTSA1 SOT-343 2.25 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon SOT-343 15 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon SOT-343 20 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon SOT-343 20 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon SOT-343 13 V, Superficie
- Transistor bipolare RF Infineon SOT-343 80 V, Superficie