Transistor NPN onsemi, 3 Pin, TO-220, 8 A, 60 V c.c., , Montaggio su foro
- Codice RS:
- 184-4152
- Codice costruttore:
- 2N6043G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 184-4152
- Codice costruttore:
- 2N6043G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo transistor | NPN | |
| Corrente c.c. massima collettore | 8 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 60 V c.c. | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Dissipazione di potenza massima | 75 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore | 60 V c.c. | |
| Tensione massima base emitter | 5 V c.c. | |
| Frequenza operativa massima | 1 MHz | |
| Numero pin | 3 | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Dimensioni | 10.53 x 4.83 x 15.75mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo transistor NPN | ||
Corrente c.c. massima collettore 8 A | ||
Tensione massima collettore emitter 60 V c.c. | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Dissipazione di potenza massima 75 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore 60 V c.c. | ||
Tensione massima base emitter 5 V c.c. | ||
Frequenza operativa massima 1 MHz | ||
Numero pin 3 | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Dimensioni 10.53 x 4.83 x 15.75mm | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor bipolare Darlington da 8 A, 100 V NPN è progettato per applicazioni di commutazione a bassa velocità e amplificatore per impieghi generali. 2N6040, 2N6042 (PNP) e 2N6043, 2N6045 (NPN) sono dispositivi complementari.
Alto guadagno di corrente c.c. -hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4,0 Adc
Tensione di sostentamento collettore-emettitore - @ 100 mAdc -Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6040, 2N6043Vceo(sus)= 80 Vdc (Min) - 2N6041, 2N6044Vceo(sus)= 100 Vdc (Min) - 2N6042, 2N6045
Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore -VCE(sat) = 2,0 V c.c. (max) @ IC = 4,0 Vcc - 2N6040,41, 2N6043,44VCE(sat)= 2,0 V c.c. (max) @ IC = 3,0 Vcc - 2N6042, 2N6045
Costruzione monolitica con resistenze shunt Base-Emitter incorporate
Sono disponibili contenitori senza piombo
Tensione di sostentamento collettore-emettitore - @ 100 mAdc -Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6040, 2N6043Vceo(sus)= 80 Vdc (Min) - 2N6041, 2N6044Vceo(sus)= 100 Vdc (Min) - 2N6042, 2N6045
Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore -VCE(sat) = 2,0 V c.c. (max) @ IC = 4,0 Vcc - 2N6040,41, 2N6043,44VCE(sat)= 2,0 V c.c. (max) @ IC = 3,0 Vcc - 2N6042, 2N6045
Costruzione monolitica con resistenze shunt Base-Emitter incorporate
Sono disponibili contenitori senza piombo
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