Transistor onsemi 2N6043G, 3 Pin NPN, TO-220, 8 A, 60 V dc, Foro passante

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Codice RS:
184-4152
Codice costruttore:
2N6043G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor

Corrente CC massima collettore Idc

8A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

60V cc

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore VCBO

60V cc

Dissipazione di potenza massima Pd

75W

Frequenza transizione massima ft

1MHz

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione massima base emettitore VBEO

5V cc

Guadagno minimo di corrente CC hFE

1000

Polarità transistor

NPN

Numero pin

3

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.53mm

Standard/Approvazioni

No

Serie

2N6043

Altezza

30.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor bipolare Darlington da 8 A, 100 V NPN è progettato per applicazioni di commutazione a bassa velocità e amplificatore per impieghi generali. 2N6040, 2N6042 (PNP) e 2N6043, 2N6045 (NPN) sono dispositivi complementari.

Alto guadagno di corrente c.c. -hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4,0 Adc

Tensione di sostentamento collettore-emettitore - @ 100 mAdc -Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6040, 2N6043Vceo(sus)= 80 Vdc (Min) - 2N6041, 2N6044Vceo(sus)= 100 Vdc (Min) - 2N6042, 2N6045

Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore -VCE(sat) = 2,0 V c.c. (max) @ IC = 4,0 Vcc - 2N6040,41, 2N6043,44VCE(sat)= 2,0 V c.c. (max) @ IC = 3,0 Vcc - 2N6042, 2N6045

Costruzione monolitica con resistenze shunt Base-Emitter incorporate

Sono disponibili contenitori senza piombo

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