Transistor Darlington onsemi 1, TO-220, 3 Pin, 4 A NPN, 60 V cc, Foro passante 1000

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

31,35 €

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38,25 €

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Codice RS:
186-7344
Codice costruttore:
2N6387G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Darlington

Corrente massima continua collettore Ic

4A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

60V cc

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Numero elementi per chip

1

Guadagno minimo di corrente CC hFE

1000

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Polarità transistor

NPN

Tensione massima base emettitore VBEO

5V cc

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Tensione massima base del collettore VCBO

60V cc

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.53mm

Altezza

15.75mm

Standard/Approvazioni

No

Serie

2N6388

Corrente massima di cut-off collettore

1mA

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor di potenza bipolare Darlington Power 8A 80 V NPN è progettato per amplificatori per impieghi generali e applicazioni di commutazione a bassa velocità.

Guadagno di corrente c.c. elevato - hFE=2500 (tipico) a Ic=4,0 Adc

Tensione di mantenimento collettore-emettitore - a 100 mAdc, Vceo(sus) = 60 Vcc (min) - 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vcc (min) - 2N6388

Tensione di mantenimento del collettore-emettitore - a 100 mAdc, Vceo (sospensione) = 60 V c.c. (min.) - 2N6387, Vceo (sospensione) = 80 V c.c. (min.) - 2N6388

Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore - Vce(sat) = 2,0 V c.c. (Max) a Ic=5,0 Adc

Struttura monolitica con resistenze shunt emettitore-base integrate

Contenitore compatto T0-220AB

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