Transistor Darlington onsemi 1, TO-220, 3 Pin, 4 A NPN, 60 V cc, Foro passante 1000

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

31,35 €

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38,25 €

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Codice RS:
186-7344
Codice costruttore:
2N6387G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Darlington

Corrente massima continua collettore Ic

4A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

60V cc

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Numero elementi per chip

1

Guadagno minimo di corrente CC hFE

1000

Tensione massima base del collettore VCBO

60V cc

Polarità transistor

NPN

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Tensione massima base emettitore VBEO

5V cc

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.53mm

Altezza

15.75mm

Serie

2N6388

Standard/Approvazioni

No

Corrente massima di cut-off collettore

1mA

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor di potenza bipolare Darlington Power 8A 80 V NPN è progettato per amplificatori per impieghi generali e applicazioni di commutazione a bassa velocità.

Guadagno di corrente c.c. elevato - hFE=2500 (tipico) a Ic=4,0 Adc

Tensione di mantenimento collettore-emettitore - a 100 mAdc, Vceo(sus) = 60 Vcc (min) - 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vcc (min) - 2N6388

Tensione di mantenimento del collettore-emettitore - a 100 mAdc, Vceo (sospensione) = 60 V c.c. (min.) - 2N6387, Vceo (sospensione) = 80 V c.c. (min.) - 2N6388

Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore - Vce(sat) = 2,0 V c.c. (Max) a Ic=5,0 Adc

Struttura monolitica con resistenze shunt emettitore-base integrate

Contenitore compatto T0-220AB

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