Transistor Digitale onsemi MMBTA06WT1G NPN, 3 Pin, 80 V cc, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

75,00 €

(IVA esclusa)

90,00 €

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Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 60000,025 €75,00 €
9000 - 210000,022 €66,00 €
24000 - 420000,02 €60,00 €
45000 - 960000,017 €51,00 €
99000 +0,017 €51,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
186-7175
Codice costruttore:
MMBTA06WT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Digitale

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

80V cc

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore VCBO

80V cc

Tensione massima base emettitore VBEO

4V cc

Guadagno minimo di corrente CC hFE

100

Dissipazione di potenza massima Pd

460mW

Polarità transistor

NPN

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

3

Serie

MMBTA06W

Lunghezza

2.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.4mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor bipolare NPN è progettato per applicazioni di amplificatori per impieghi generali. È alloggiata nel contenitore SOT-323/SC-70, progettato per applicazioni di montaggio superficiale a bassa potenza.

Livello di sensibilità all'umidità: 1

Grado ESD: modello corpo umano - modello macchina 4 kV - 400 V

Potrebbe essere disponibile un contenitore senza piombo. Il suffisso G indica una finitura del cavo senza piombo

Prefisso SS e NSV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo unici, in grado di PPAP

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