Transistor Digitale onsemi PnP, 3 Pin, -50 V 100 mA, Superficie
- Codice RS:
- 186-7182
- Codice costruttore:
- MUN5135T1G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
87,00 €
(IVA esclusa)
105,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,029 € | 87,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-7182
- Codice costruttore:
- MUN5135T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -50V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 80 | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100mA | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 310mW | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 0.25V | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | DTA123J | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, RoHS | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -50V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 80 | ||
Polarità transistor PnP | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100mA | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 310mW | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 0.25V | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie DTA123J | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, RoHS | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione della resistenza esterna. Il transistor a resistenza di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistenze, una resistenza di base seriale e una resistenza di base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio della scheda.
Semplifica la progettazione dei circuiti
Riduce lo spazio della scheda
Riduce il conteggio dei componenti
Prefisso SS e NSV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo unici, in grado di PPAP
Questi dispositivi sono senza Pb, senza alogeni/senza BFR
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