Transistor Digitale onsemi PnP, 2 Pin, -80 V, Superficie

Visualizza Transistor bipolari

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

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800 +0,544 €435,20 €

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Codice RS:
186-7406
Codice costruttore:
MJB45H11T4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Digitale

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

-80V

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore VCBO

80V

Tensione massima base emettitore VBEO

5V cc

Polarità transistor

PnP

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Guadagno minimo di corrente CC hFE

60

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

2

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15.88mm

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.29mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza bipolare PNP è progettato per l'amplificazione e la commutazione di potenza per impieghi generali come le fasi di uscita o driver in applicazioni come regolatori di commutazione, convertitori e amplificatori di potenza. I modelli MJB44H11 (NPN) e MJB45H11 (PNP) sono dispositivi complementari.

Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore -

VCE(sat) = 1,0 V (Max) a 8,0 A

Velocità di commutazione rapide

Le coppie complementari semplificano i progetti

Prefisso NJV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo unici, in grado di PPAP

Sono disponibili confezioni PbFree

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