Transistor Digitale onsemi, 8 Pin, SOIC, Montaggio superficiale

Questo MOSFET a canale P è prodotto utilizzando un Advanced PowerTrench® processo ottimizzato per rDS(on), prestazioni di commutazione e robustezza.

Max rDS(on) = 183 mΩ a VGS = -10 V, ID = -2,1 A.
Max rDS(on) = 247 mΩ a VGS = -4,5 V, ID = -1,9 A.
Tecnologia trench ad alte prestazioni per rDS(on) estremamente bassi
Elevata potenza e capacità di gestione della corrente in un package per montaggio superficiale ampiamente utilizzato
Applications
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.
Interruttore di carico
Raddrizzatore sincrono