Transistor bipolare RF Infineon, 3 Pin NPN, TSLP-3-9, 35 mA, 2.25 V, Superficie
- Codice RS:
- 258-0649
- Codice costruttore:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 15000 + | 0,338 € | 5.070,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-0649
- Codice costruttore:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 35mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 2.25V | |
| Tipo di package | TSLP-3-9 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 2.9V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 150 | |
| Frequenza transizione massima ft | 75GHz | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 75mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 1mm | |
| Altezza | 0.31mm | |
| Serie | BFR840L3RHESD | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 35mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 2.25V | ||
Tipo di package TSLP-3-9 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 2.9V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 150 | ||
Frequenza transizione massima ft 75GHz | ||
Polarità transistor NPN | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 75mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 1mm | ||
Altezza 0.31mm | ||
Serie BFR840L3RHESD | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor bipolare RF NPN SiGe C Infineon è un transistor bipolare a eterojunzione RF discreto con una protezione ESD integrata adatta per le applicazioni in banda da 5 GHz.
Ideale per applicazioni a bassa tensione, ad esempio VCC = 1,2 V e 1,8 V
Contenitore senza piombo a basso profilo e con ridotto fattore di forma
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