Transistor bipolare RF Infineon BFR193WH6327XTSA1, 3 Pin NPN, SOT-323, 80 mA, 20 V, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
259-1456
Codice costruttore:
BFR193WH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

80mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-323

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

NPN

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

580mW

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Frequenza transizione massima ft

8GHz

Polarità transistor

NPN

Numero pin

3

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

BFR193W

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF NPN al silicio Infineon. Si tratta di varie applicazioni come telefoni cellulari e cordless, DECT, sintonizzatori, modem FM e RF.

Per amplificatori a basso rumore e ad alto guadagno fino a 2 GHz

Per amplificatori a banda larga lineari

fT 8 GHz, NFmin 1 dB a 900 MHz

Contenitore senza piombo (conforme a RoHS)

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