Transistor Darlington onsemi MJD112T4G 1, TO-252, 3 Pin, 2 A NPN, 100 V, Superficie 200

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
463-016
Codice costruttore:
MJD112T4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Darlington

Corrente massima continua collettore Ic

2A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

100V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Numero elementi per chip

1

Guadagno minimo di corrente CC hFE

200

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Polarità transistor

NPN

Tensione massima base del collettore VCBO

100V

Tensione massima base emettitore VBEO

5V

Minima temperatura operativa

-65°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.38mm

Standard/Approvazioni

No

Serie

MJD112

Lunghezza

6.73mm

Corrente massima di cut-off collettore

0.02mA

Standard automobilistico

AEC-Q101

Transistor NPN Darlington, ON Semiconductor


Standards

I codici del produttore con prefisso S o NSV sono certificati per uso automobilistico secondo lo standard AEC-Q101.

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