Transistor Darlington onsemi MJD112T4G 1, TO-252, 3 Pin, 2 A NPN, 100 V, Superficie 200

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
463-016
Codice costruttore:
MJD112T4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Darlington

Corrente massima continua collettore Ic

2A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

100V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Numero elementi per chip

1

Guadagno minimo di corrente CC hFE

200

Tensione massima base emettitore VBEO

5V

Polarità transistor

NPN

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Tensione massima base del collettore VCBO

100V

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

MJD112

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.38mm

Corrente massima di cut-off collettore

0.02mA

Standard automobilistico

AEC-Q101

Transistor NPN Darlington, ON Semiconductor


Standards

I codici del produttore con prefisso S o NSV sono certificati per uso automobilistico secondo lo standard AEC-Q101.

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