Transistor Darlington onsemi MJD112G 1, TO-252, 3 Pin, 2 A NPN, 100 V, Superficie 1000

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150 - 4500,266 €19,95 €
525 - 9750,239 €17,93 €
1050 - 24750,233 €17,48 €
2550 +0,227 €17,03 €

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Codice RS:
121-6413
Codice costruttore:
MJD112G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Darlington

Corrente massima continua collettore Ic

2A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

100V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Numero elementi per chip

1

Guadagno minimo di corrente CC hFE

1000

Tensione massima base emettitore VBEO

5V

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Minima temperatura operativa

-65°C

Polarità transistor

NPN

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Tensione massima base del collettore VCBO

100V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Serie

MJD112

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.38mm

Corrente massima di cut-off collettore

20μA

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY

Transistor NPN Darlington, ON Semiconductor


Standards

I codici del produttore con prefisso S o NSV sono certificati per uso automobilistico secondo lo standard AEC-Q101.

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