MJD112G | Transistor Darlington NPN onsemi, DPAK (TO-252), 3 Pin, 2 A, 100 V, Montaggio superficiale | RS
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    Transistor Darlington NPN onsemi, DPAK (TO-252), 3 Pin, 2 A, 100 V, Montaggio superficiale

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    Codice RS:
    121-6413
    Codice costruttore:
    MJD112G
    Costruttore:
    onsemi
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    Marchio

    onsemi

    Tipo transistor

    NPN

    Corrente massima continuativa collettore

    2 A

    Tensione massima collettore emitter

    100 V

    Tensione massima base emitter

    5 V

    Tipo di package

    DPAK (TO-252)

    Tipo di montaggio

    Montaggio superficiale

    Numero pin

    3

    Configurazione transistor

    Singolo

    Numero di elementi per chip

    1

    Guadagno minimo corrente c.c.

    1000

    Tensione massima di saturazione emitter

    4 V

    Tensione massima base del collettore

    100 V

    Tensione massima di saturazione collettore emitter

    3 V

    Corrente massima di cut-off del collettore

    20µA

    Massima temperatura operativa

    +150 °C

    Lunghezza

    6.73mm

    Altezza

    2.38mm

    Dissipazione di potenza massima

    20 W

    Larghezza

    6.22mm

    Minima temperatura operativa

    -65 °C

    Dimensioni

    6.73 x 6.22 x 2.38mm

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