Transistor Darlington onsemi MJD127T4G 1, TO-252, 3 Pin, 8 A PnP, 100 V, Superficie 100
- Codice RS:
- 463-111
- Codice costruttore:
- MJD127T4G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 20 unità*
12,10 €
(IVA esclusa)
14,76 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 30.800 unità in spedizione dal 24 agosto 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,605 € | 12,10 € |
| 200 - 480 | 0,522 € | 10,44 € |
| 500 + | 0,452 € | 9,04 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 463-111
- Codice costruttore:
- MJD127T4G
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Darlington | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 8A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 100V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 100 | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 100V | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20W | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 2.38mm | |
| Serie | MJD122 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Corrente massima di cut-off collettore | 0.01mA | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Darlington | ||
Corrente massima continua collettore Ic 8A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 100V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 100 | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 100V | ||
Polarità transistor PnP | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20W | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 2.38mm | ||
Serie MJD122 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Corrente massima di cut-off collettore 0.01mA | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Esente
Transistor PNP Darlington, ON Semiconductor
Standards
Link consigliati
- Transistor Darlington onsemi 1 3 Pin 100 V, Superficie 100
- Transistor Darlington onsemi MJD127G 1 3 Pin 100 V, Superficie 100
- Transistor Darlington onsemi 1 3 Pin 100 V, Superficie 1000
- Transistor Darlington onsemi MJD117T4G 1 3 Pin 100 V, Superficie 1000
- Transistor Darlington onsemi MJD117G 1 3 Pin 100 V, Superficie 1000
- Transistor Darlington onsemi 1 3 Pin 100 V, Superficie 100
- Transistor Darlington STMicroelectronics 1 3 Pin 100 V, Superficie 100
- Transistor Darlington onsemi NJVMJD122T4G 1 3 Pin 100 V, Superficie 100