Transistor Darlington onsemi MJD112-1G 1, IPAK, 3 Pin, 2 A NPN, 100 V, Foro passante 1000

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150 - 3000,575 €43,13 €
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Codice RS:
178-4811
Codice costruttore:
MJD112-1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Darlington

Corrente massima continua collettore Ic

2A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

100V

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Numero elementi per chip

1

Guadagno minimo di corrente CC hFE

1000

Polarità transistor

NPN

Tensione massima base del collettore VCBO

100V

Tensione massima base emettitore VBEO

5V

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Serie

MJD112

Altezza

6.35mm

Lunghezza

6.73mm

Corrente massima di cut-off collettore

20μA

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MJD112 di ON Semiconductor sono i transistor di potenza complementari Darlington progettati per l'alimentazione e la commutazione per impieghi generali come le fasi di uscita o il driver in applicazioni come regolatori di commutazione, convertitori e amplificatori di potenza.

Versione con cavo diritto in guaine in plastica

Questi dispositivi sono privi di piombo e sono conformi alla direttiva RoHS

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