Transistor Darlington PNP onsemi, TO-220, 3 Pin, 2 A (continua), 4 A (picco), 100V c.c., , Montaggio su foro

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Codice RS:
184-1112
Codice costruttore:
TIP117G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo transistor

PNP

Corrente massima continuativa collettore

2 A (continua), 4 A (picco)

Tensione massima collettore emitter

100V c.c.

Tensione massima base emitter

5 V c.c.

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Configurazione

Single

Numero di elementi per chip

1

Guadagno minimo corrente c.c.

500

Tensione massima base del collettore

100V c.c.

Tensione massima di saturazione collettore emitter

2,5 V c.c.

Corrente massima di cut-off del collettore

2mA

Minima temperatura operativa

-65 °C

Dissipazione di potenza massima

50 W

Larghezza

4.83mm

Altezza

15.75mm

Dimensioni

10.53 x 4.83 x 15.75mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Corrente base

50mA

Lunghezza

10.53mm

Paese di origine:
CN
Il Transistor bipolare di potenza Darlington è progettato per applicazioni di commutazione a bassa velocità e amplificatore per impieghi generali. TIP110, TIP111, TIP112 (NPN), TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sono dispositivi complementari.

Guadagno Di Corrente c.c. elevato - hFE = 2500 (tip.) @ IC = 1,0 ADC
Tensione Di Mantenimento Collettore-Emettitore @ 30 Ma
Vceo(sus) = 60 Vcc (min) TIP110, TIP115
Vceo(sus) = 80 V c.c. (min) TIP111, TIP116
Vceo(sus) = 100 V c.c. (min) TIP112, TIP117
Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore
VCE(sat) = 2,5 V cc (max) @ IC= 2,0 ADC
= 4,0 V c.c. (max) @ IC= 5,0 ADC
Struttura Monolitica Con Resistenze Shunt Base-Emettitore Incorporate
Contenitore compatto TO-220 AB
Sono disponibili contenitori senza piombo

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